10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.002
反偏籽晶晶向生长Φ2″HB-GaAs单晶
HB-GaAs (100) 片要偏离生长截面54.7°~60°切割(〈100〉和〈111〉之间的夹角是54.7°).如果籽晶方向与〈100〉之间的夹角少于54.7°,称为反偏籽晶.而采用大于54.7°角生长的单晶切割比较困难,尤其是厚度小于300 μm的晶片.为了减少切割难度,可生长反偏籽晶的单晶,但要保证单晶能割出Φ2″(100)圆片,必须增加单晶锭的截面积.由于GaAs的热导率小,大截面单晶生长要困难得多.通过改变固液截面附近的加热元件结构,在特定方向加强了散热,延伸了温度梯度的线性范围,使用反偏籽晶,成功地生长了Φ2″ HB-GaAs单晶.和正偏籽晶单晶相比,这些单晶锭的切割破损率减少了24%,…展开v
反偏籽晶、热导率、HB-GaAs单晶生长
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TN304.053(半导体技术)
2004-08-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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