期刊专题

10.3969/j.issn.0258-7076.2004.01.051

垂直堆垛InAs量子点材料的分子束外延生长

小池一步1李树玮2矢野满明1
1.中山大学; 2.大阪工业大学;
引用
用MBE设备以Stranski-Krastanov 生长方式外延生长了5个周期垂直堆垛的InAs量子点, 在生长过程中使用对形状尺寸控制法来提高垂直堆垛InAs量子点质量和均匀性. 样品外延的主要结构是 500 nm 的GaAs外延层, 15 nm的Al0.5Ga0.5As势垒外延层, 5个周期堆跺的InAs量子点, 50 nm的Al0.5Ga0.5As nm 势垒外延层等. 在生长过程中用反射式高能电子衍射仪(RHEED)实时监控. 生长后用原子力显微镜(AFM)进行表面形貌的表征, 再利用光制发光(PL)对InAs量子点进行观测.

晶体生长、垂直堆垛的InAs量子点、分子束外延(MBE)、光致发光

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O04;O07

2004-04-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

207-209

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稀有金属

北大核心CSTPCDEI

0258-7076

11-2111/TF

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2004,28(1)

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