溅射参数对SmCo/Cr薄膜铬底层晶面取向及磁学性能的影响

摘要：

采用直流磁控溅射法制备SmCo/Cr薄膜磁记录材料, 通过改变Cr底层制备过程中的功率、靶基距、溅射压强和溅射时间, 得到了磁性能不同的SmCo/Cr薄膜. 利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究, 结果表明: 如果改变溅射参数, 使沉积Cr原子获得较大的能量, 则有利于Cr底层最终以(110)晶面择优取向. 本实验中Cr底层以(110)晶面择优取向的最佳实验条件为: 溅射功率在50～70 W左右, 靶基距为6 cm, 压强为0.5 Pa, 溅射时间为15 min. 利用振动样品磁强计(VSM)测定SmCo/Cr薄膜的磁学性能, 结果表明, 如果Cr底层能以(110)晶面择优取向, 所得到的SmCo/Cr薄膜的磁学性能较好.

关键词：铬底层、晶面取向、溅射参数、SmCo/Cr薄膜、矫顽力

所属期刊栏目：27

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：教育部高校骨干教师资助计划;山西省自然科学基金;湖北省科技攻关项目

在线出版日期：2003-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：561-564