淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响

摘要：

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜, 采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系, 并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的变化情况. 所镀制的ITO膜电阻率已降到＜2×10-4 Ω*cm, 可见光透过率达80%以上.

关键词：半导体、ITO膜、磁控溅射

所属期刊栏目：27

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：河南省科技攻关项目001090210

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：510-512