期刊专题

10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.022

Φ105 mm区熔硅单晶的生长工艺研究

郭立洲
河南新乡华丹电子有限责任公司;
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介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理, 说明了生产Φ105 mm FZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准, 通过对不同形式的加热线圈进行分析, 指出了较理想的加热线圈, 讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用.对Φ105 mm FZ硅单晶的关键生长工艺进行了描述.

FZ硅单晶、加热线圈、夹持装置、生长工艺

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TN304.053(半导体技术)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

513-516

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稀有金属

北大核心CSTPCDEI

0258-7076

11-2111/TF

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2002,26(6)

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