期刊专题

10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.013

SOI材料的制备技术

周旗钢屠海令常青张果虎王敬肖清华
有研新材料股份有限公司;
引用
SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景. 介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果. 降低制造成本、提高材料质量以及获得足够薄的顶部硅层是近年来SOI材料制备技术改进的目标.

SOI、注氧隔离、智能剥离、硅片键合与减薄、外延层转移

26

TN304.1+2(半导体技术)

有色金属研究总院基金6601

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共8页

460-467

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稀有金属

北大核心CSTPCDEI

0258-7076

11-2111/TF

26

2002,26(6)

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