10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.013
SOI材料的制备技术
SOI材料被誉为"二十一世纪硅集成电路技术"的基础. 它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等, 在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景. 介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果. 降低制造成本、提高材料质量以及获得足够薄的顶部硅层是近年来SOI材料制备技术改进的目标.
SOI、注氧隔离、智能剥离、硅片键合与减薄、外延层转移
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TN304.1+2(半导体技术)
有色金属研究总院基金6601
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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460-467