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10.3969/j.issn.0258-7076.2002.06.001

光学加工对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

屠海令郑安生黎建明
北京有色金属总院国家半导体材料工程研究中心;
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用四点弯曲法测量了GaAs晶体断裂模数,其结果表明加工方法是影响GaAs晶体断裂模数测量值的重要因素.切割加工的GaAs晶体的断裂模数最低,研磨加工GaAs晶体的断裂模数其次,机械抛光的断裂模数再其次,而机械抛光后再化学抛光的GaAs晶体的断裂模数平均值最高,其平均值约为135 MPa.光学加工表面损伤层及损伤层中的缺陷、裂纹和应力将导致GaAs晶体的断裂模数值下降.

GaAs、光学加工、断裂模数、损伤层

26

TN304.2+3(半导体技术)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

413-415

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稀有金属

北大核心CSTPCDEI

0258-7076

11-2111/TF

26

2002,26(6)

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