NH3分解率对GaN半导体MOVPE外延生长成分空间的影响

摘要：

研究了以三甲基镓(TMGa)和氨(NH3)为气源物质,以氢气(H2)为载气进行GaN半导体的金属有机物气相外延(MOVPE)生长时,NH3分解率对于GaN半导体外延生长的成分空间的影响.热力学计算结果表明:随着NH3分解率的提高,用于生长GaN外延层的气+固两相区逐渐向高Ⅴ/Ⅲ比方向变小,解释了实际生长过程中Ⅴ/Ⅲ比要求很高的原因.预计高的Ⅴ/Ⅲ比及低的NH3分解率有助于GaN的MOVPE外延生长.

关键词：热力学分析、氮化镓、MOVPE

所属期刊栏目：26

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划715-010-0032;国家自然科学基金50071008

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：241-244