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10.3969/j.issn.0258-7076.2002.03.002

立方织构 Cu-Ni基带及缓冲层的研究

引用
系统研究了Cu-Ni 合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律,重复地获得了稳定的再结晶{001}<100>立方织构.用表面氧化外延(SOE)法生成了 NiO(200)薄膜.轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用;再结晶温度、时间是立方织构形成的主要影响因素.在获得了强立方织构 Cu-Ni 合金基底上(其中Φ扫描曲线的半高宽(FWHM)≤10°),通过SOE方法得到了取向良好NiO(200)缓冲层.

基带、立方织构、表面氧化外延、铜式织构、S织构

26

TM26(电工材料)

国家超导技术联合研究开发中心资助项目;国家重点基础研究发展计划973计划G1999064605

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

166-168,178

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稀有金属

0258-7076

11-2111/TF

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2002,26(3)

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