单晶硅内氢杂质特性研究进展

摘要：

从单晶硅内氢杂质的引入,氢钝化施主,钝化受主,钝化缺陷等几方面对近年来单晶硅内氢杂质的特性研究进行了综述,强调了氢加速氧扩散、加速热施主与氧沉淀的形成等性质,讨论了氢在单晶硅内的存在状态及硅片在氢气氛中的退火特性.

关键词：单晶硅、氢、氢退火、红外光谱、缺陷

所属期刊栏目：25

分类号：TN304.053(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金69971014

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：452-458