质量分离的双离子束沉积法生长CeO2(111)/Si薄膜

摘要：

利用一种全新的薄膜生长技术-质量分离的双离子束沉积技术,在较低温度(400℃)下对 CeO2(111)/Si(100) 薄膜的生长进行了研究.两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响,较高能量(300 eV)的离子束对薄膜有轰击作用,并有助于薄膜的择优取向生长.在 400℃时,制备了 CeO2(111)/Si(100) 单晶薄膜.

关键词：双离子束、CeO2/Si薄膜、生长

所属期刊栏目：25

分类号：O782;O484.1(晶体生长)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G2000036505

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：401-403,410