外吸除用硅片背面加工技术的研究

摘要：

用 SEM、TEM 和光学显微镜研究了硅片背面的机械损伤(包括软损伤)和多晶硅的晶格结构,以及热处理过程中晶格结构和缺陷的演化,探索了吸杂的机理.实验结果表明,用本技术能减少S坑密度,提高硅片产生寿命,对金、铜等金属杂质有吸杂的效果.

关键词：机械损伤、软损伤、氧化诱生层错、S坑缺陷、外吸除、内吸除

所属期刊栏目：25

分类号：TN304.12(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：340-344