纳米材料合成获突破

摘要：

美国亚特兰大佐治亚理工学院纳米科学和技术中心主任王中林教授、潘正伟博士和戴祖荣博士在世界上首次发现并合成半导体氧化物纳米带状结构,这是纳米材料合成领域的又一重大突破.这三位中国科学家利用高温固体气相法,成功合成了氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化镉和氧化镓等宽带半导体体系的带状结构.这些带状结构纯度高、产量大、结构完美、表面干净,并且内部无缺陷、无位错,是一理想的单晶线型薄片结构.”纳米带”的横截面是一个窄矩型结构,带宽为 30～300nm,厚5～10nm,而长度可达几毫米.和碳纳米管以及硅和复合半导体线状结构相比,”纳米带”是迄今唯一发现具有结构可控且无缺陷的宽带半导体准一维带状结构,而且具有比碳纳米管更独特和优越的结构和物理性能.

机标关键词：带状结构、纳米带、复合半导体、碳纳米管、纳米材料合成、亚特兰大、物理性能、缺陷、纳米科学、宽带、结构可控、技术中心、博士、氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化物、氧化镓、氧化镉、无位错

所属期刊栏目：25

分类号：O48;TB3

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：320