氟化镁单晶体与多晶体成膜后薄膜耐磨性分析

摘要：

分析了氟化镁单晶体与多晶体成膜过程的行为，得出了二者不同的聚集方式是造成薄膜耐磨性差异的原因这一结论。给出了改善单晶氟化镁耐磨性的最佳退火条件：350℃退火 2 h。

关键词：氟化镁、薄膜、耐磨性

所属期刊栏目：25

分类号：TG174.444(金属学与热处理)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：78-80