重掺碲(100) GaSb 单晶的研制

摘要：

采用 LEC 工艺,通过特殊的过滤措施,可以批量拉制重掺碲的 GaSb 单晶材料.计算结果表明,在该生长系统及工艺条件下,碲在 GaSb 中的有效分凝系数约为0.38.GaSb 单晶 EPD 测试表明:EPD 沿径向分布呈"W"型,数量约为1×103cm-2;沿晶体生长方向(100)变化不大.

关键词：GaSb、有效分凝系数、EPD

所属期刊栏目：24

分类号：TG146(金属学与热处理)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：335-337