砷化镓材料发展和市场前景

摘要：

综述世界GaAs材料器件的产销情况、市场前景及GaAs材料的发展趋势. 预测2000年GaAs IC用于通讯将占GaAs IC市场的71%, 并以年均增长率15%的速度发展. 发光器件1999年增长12%, 其中激光器件增幅最大, 达16%. GaAs材料电子器件和光电器件的比例约为2∶3. 对大直径 (Φ76 mm以上)、低位错、低热应力、高质量的GaAs单晶有较大的需求量. VB、 VGF和VCZ是满足这些要求的最佳GaAs单晶生长方法.

关键词：砷化镓材料、器件、市场

所属期刊栏目：24

分类号：TG146(金属学与热处理)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：208-217