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10.3969/j.issn.0258-7076.1999.04.016

光学级锗晶体生长方法新进展

引用
介绍了90年代以来,光学级锗晶体生长方法的新进展.着重介绍了VGF法制备锗单晶、铸造法制备锗多晶的工艺和装置.简单比较了不同方法制备的锗晶体的主要光学、电学性能及制造成本.

锗晶体、生长方法、进展

23

TG146(金属学与热处理)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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稀有金属

0258-7076

11-2111/TF

23

1999,23(4)

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