10.3969/j.issn.0258-7076.1999.04.013
硅薄膜的热丝法淀积
系统地研究了热丝化学气相沉积技术中沉积气压、气体流量、钨丝温度、衬底温度对硅薄膜的结构、生长速率和光电性能的影响.通过优化各工艺参数,成功地制备出光暗电导比达104的非晶硅薄膜和晶粒尺寸达微米量级的晶相良好的多晶硅薄膜.
热丝法、非晶硅薄膜、多晶硅薄膜
23
TG146(金属学与热处理)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
293-297
10.3969/j.issn.0258-7076.1999.04.013
热丝法、非晶硅薄膜、多晶硅薄膜
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TG146(金属学与热处理)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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