期刊专题

10.3969/j.issn.0258-7076.1999.03.012

(Ga,In)As半导体MOVPE生长过程中源物质的热分解及半导体碳污染的分析

张维敬1李长荣1李静波1王冈2
1.北京科技大学; 2.有研科技集团有限公司;
引用
运用相平衡分析的方法,对(Ga,In)As半导体MOVPE生长过程中源物质热分解后的气相物种分压进行了分析,得到了沉积物种的生成率随各生长参数的变化规律,同时对气相物种分压与半导体碳污染的关系也进行了分析.

(Ga、In)As半导体、相平衡、热分解、碳污染

TG146(金属学与热处理)

国家科技攻关项目

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

209-213

暂无封面信息
查看本期封面目录

稀有金属

北大核心CSTPCDEI

0258-7076

11-2111/TF

1999,(3)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn