10.3969/j.issn.0258-7076.1999.03.012
(Ga,In)As半导体MOVPE生长过程中源物质的热分解及半导体碳污染的分析
运用相平衡分析的方法,对(Ga,In)As半导体MOVPE生长过程中源物质热分解后的气相物种分压进行了分析,得到了沉积物种的生成率随各生长参数的变化规律,同时对气相物种分压与半导体碳污染的关系也进行了分析.
(Ga、In)As半导体、相平衡、热分解、碳污染
TG146(金属学与热处理)
国家科技攻关项目
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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209-213