10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.016
TEM观察砷化镓晶片损伤层
用透射电镜、扫描电镜对GaAs材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测. 结果切片损伤层深度≤50 μm、双面研磨损伤层深度≤15 μm、机械化学抛光损伤层深度 (腐蚀前) <1.2 μm. 分析了损伤结构及其引入的因素.
砷化镓晶片、损伤层、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)
22
TG146(金属学与热处理)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
392-395