期刊专题

10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.016

TEM观察砷化镓晶片损伤层

杨钧钱嘉裕陈坚邦
有研科技集团有限公司;
引用
用透射电镜、扫描电镜对GaAs材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测. 结果切片损伤层深度≤50 μm、双面研磨损伤层深度≤15 μm、机械化学抛光损伤层深度 (腐蚀前) <1.2 μm. 分析了损伤结构及其引入的因素.

砷化镓晶片、损伤层、透射电镜(TEM)、扫描电镜(SEM)

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TG146(金属学与热处理)

2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

392-395

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稀有金属

北大核心CSTPCDEI

0258-7076

11-2111/TF

22

1998,22(5)

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