SOI键合材料的TEM研究

摘要：

用横断面透射电子显微术 (TEM) 研究了用键合方法获得的SOI材料的界面结构.绝缘层二氧化硅和硅膜的厚度非常均匀, Si膜/SiO2以及SiO2/Si基体的界面平直且结合紧密,在界面上没有观察到缺陷和孔洞.

关键词：硅片键合、SOI、界面、微结构

所属期刊栏目：22

分类号：O6(化学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：274-276