Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点

摘要：

在全自动拉晶条件下, 讨论了拉制Φ200 mm硅单晶遇到的新问题. 热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求. 合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键.

关键词：Φ200、mm硅单晶、无位错、热场、工艺参数、系统操作参数表

所属期刊栏目：22

分类号：O6(化学)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：67-68