抗总剂量辐射华夫饼功率管版图设计

摘要：

功率管在空间辐射环境下会发生沟道边缘漏电,导致功率集成电路性能退化.介绍了一种0.35μm单片集成(BCD)工艺下基于华夫饼结构的全新功率管版图,并对普通条形栅结构N沟道功率管和新型华夫饼结构N沟道功率管进行了Co-60辐射实验.总剂量辐射使N沟道条形栅功率管发生漏电.辐射实验结果表明,经过无边缘化处理的华夫饼结构可以有效控制总剂量辐射诱发的漏电,能够大幅提升功率管的抗总剂量辐射能力.

关键词：总剂量辐射、功率管、华夫饼结构、漏电流

所属期刊栏目：17

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金联合基金NSAF资助项目U1630117

在线出版日期：2019-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：730-734