4H-SiC浮动结JBS器件的设计方法

摘要：

研究了4H-SiC浮动结(FJ)结势垒肖特基(JBS)二极管的设计方法.提出在上外延层厚度一定的情况下得到外延层最佳掺杂浓度,然后以器件的功率优值(BFOM值)为依据确定出最佳下外延层厚度,进而设计出浮动结和表面结的最佳结构参数.否定了文献中认为浮动结位于器件中部为最佳设计的结论.仿真结果表明浮动结和表面结线宽比不仅影响器件导通特性,还会影响反向特性.浮动结线宽比在一定范围内会略微影响器件击穿电压,而表面结线宽比主要影响器件的反向泄漏电流.

关键词：4H-SiC、浮动结-结势垒肖特基二极管、外延结构、功率优值

所属期刊栏目：17

分类号：TN311.7(半导体技术)

资助基金：科学挑战专题基金资助项目TZ2018003

在线出版日期：2019-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：721-725