一种24 GHz CMOS功率放大器设计

摘要：

基于130nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种高增益和高输出功率的24 GHz功率放大器.通过片上变压器耦合实现阻抗匹配和功率合成,有效改善放大器的匹配特性和提高输出功率.放大器电路仿真结果表明,在1.5 V供电电压下,功率增益为27.2 dB,输入输出端回波损耗均大于10 dB,输出功率1 dB压缩点13.2 dBm,饱和输出功率17.2 dBm,峰值功率附加效率13.5％.

关键词：互补金属氧化物半导体、功率放大器、变压器耦合、功率合成

所属期刊栏目：17

分类号：TN722(基本电子电路)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61204096,61404094;中央高校基本科研基金资助项目2042015kf0174,2042014kf0238;中国博士后科学基金资助项目2012T50688;湖北省自然科学基金资助项目2014CFB694;江苏省科学基金资助项目BK20141218

在线出版日期：2019-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：716-720