10.3969/j.issn.1002-1094.2012.03.004
不同参数设置对植入型单腔心律转复除颤器不恰当放电的影响
目的 探讨单腔植入型心律转复除颤器(ICD) 不同识别参数设置对不恰当放电的影响.方法 A组入选25例2007年至2008年植入单腔ICD的患者,术后经验设置室性心律失常与室上性心动过速鉴别参数.B组入选25例2009年至2010年植入单腔ICD的患者,术后开启稳定性、突发性和形态学标准.每例随访1年.观察两组室上性心动过速正确识别率和不恰当放电率.结果 与A组相比,B组对室上性心动过速正确识别率较高(68.0%、28.0%),室上性心动过速放电率较低(24.0%、76.0%),不恰当放电所致住院率较低(4.0%、20.0%).A组不恰当放电引发室性心动过速2例.结论 术后启用三项鉴别参数能减少ICD不恰当放电.
植入型心律转复除颤器、不恰当放电、室上性心动过速
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R31;R54
温州市科技局课题Y20110156
2012-07-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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