一种基于GaAs肖特基二极管W波段混频器芯片设计

摘要：

对基于GaAs肖特基二极管的W波段单平衡混频器进行了研究,包括肖特基二极管特性等效电路拟合、曲线测试、参数提取、模型建立.基于单平衡混频器隔离度和杂散抑制的机理,研究了W波段巴伦的设计.基于GaAs pHEMT工艺,结合W波段电路设计方法,研发了一款射频频率覆盖90～98 GHz,中频频率覆盖1～9 GHz,本振频率覆盖86～98 GHz,本振功率为11 dBm的无源单平衡混频器.芯片通过探针台在片测试,在W波段内有较好的性能,其中变频损耗小于10 dB,本振射频隔离度在92～96 GHz内大于35 dB.

关键词：砷化镓、单平衡混频器、W波段、变频损耗

所属期刊栏目：7

分类号：TN914.42

在线出版日期：2023-07-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：52-55,60