E波段GaAs PHEMT工艺有源六倍频器MMIC

摘要：

基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC).片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸.在片探针测试结果显示该倍频器芯片在输入功率 5 dBm时,输出 66～88 GHz频率范围内,输出功率大于 13 dBm,谐波抑制 20 dBc,功耗600 mW,芯片尺寸为3.0 mm×1.4 mm×0.07 mm.

关键词：GaAs赝配高电子迁移率晶体管、单片微波集成电路、E波段、有源六倍频器

所属期刊栏目：7

分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2023-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：60-62,67