非晶硅TFT强光稳定性的研究及改善

摘要：

随着显示产业的迅猛发展,大尺寸、宽色域、高动态范围(HDR)和高亮度给薄膜晶体管(TFT)面板带来了更大的挑战.经过测试,在40000 nit高亮度背光照明下,经过500小时照明,面板的充电能力衰减幅度高达13％.其机理与TFT结构密切相关,如栅极的功函数和栅极绝缘层(GI)的光学带隙(Eg).经研究,通过将GI层光学带隙从4.1 eV提升到4.7 eV,高亮度应力下衰减幅度从13％改善到了1％以下.

关键词：LCD、a-Si TFT、PECVD、高亮度

所属期刊栏目：6

分类号：TN141(真空电子技术)

资助基金：深圳基础研究项目;深港联合-协同创新专项

在线出版日期：2022-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：43-47