基于GaN HEMT的L波段600 W内匹配功率管设计

摘要：

采用两只总栅宽100 mm的0.5μm工艺GaN HEMT功率管芯,通过合理选择目标阻抗、合理设计输出匹配网络,实现了一款输出功率达到600 W的L波段内匹配功率管.在+36 V、-2 V工作电压下,1.14～1.26 GHz内,功率管输出功率≥600 W,功率增益≥12 dB,功率附加效率≥55％,体积仅为33 mm×17 mm×2 mm,重量仅为3.5 g,显示出卓越的性能,具有广泛的工程应用前景.

关键词：功率管、GaN、内匹配、L波段、大功率

所属期刊栏目：6

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2022-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：52-55