基于90 nm GaAs PHEMT工艺的二次倍频器芯片的设计

摘要：

基于90 nm GaAs PHEMT工艺设计了一款二次倍频器芯片,通过探针台对芯片性能进行了评估.倍频器芯片输入频率为9～15 GHz,输出频率为18～30 GHz.芯片电路中包含了输入、输出两级驱动放大器、一个二次倍频器和一个带通滤波器,可以实现将典型输入功率为3 dBm的9～15 GHz的输入信号倍频输出为功率大于15 dBm的18～30 GHz的二倍频输出信号,并且输出的二倍频信号对基波信号的抑制度可以达到30 dBc以上.倍频器芯片的尺寸为1.9 mm×1.2 mm.

关键词：GaAs、PHEMT、倍频器、芯片、谐波抑制

所属期刊栏目：4

分类号：TN771(基本电子电路)

在线出版日期：2021-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：25-27,30