一种基于E-FLASH工艺的低功耗全集成锁相环

摘要：

基于国内0.13μm E-FLASH工艺,设计了一种由E-FLASH控制的锁相环芯片,为芯片提供可配置的频率源,内置LC压控振荡器、射频分频器、数字分频器、环路滤波器接口和电荷泵,实现了锁相环的全集成.芯片功耗仅为30 mA,面积仅1 mm×1.5 mm.工艺可集成于E-FLASH工艺的片上系统,能提供良好的相位噪声和抖动特性,最高输出频率可达2.4 GHz,锁定后10 kHz频偏的相位噪声优于-116 dBc/Hz.

关键词：锁相环、E-FLASH、相位噪声

所属期刊栏目：4

分类号：TN432;TN911.8(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2021-02-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：50-53