硅基芯片TRL校准件的设计与制作

摘要：

为了满足在K/Ka频带下设计硅基芯片电路时对器件模型精确测试的要求,文章分析了实现精确校准的硅基芯片TRL校准技术.根据TRL校准原理设计并制作了相应的校准件,用去嵌入的方式提取了片上电感、电容模型.在20 GHz～30 GHz高频应用中,验证了模型的准确性.实际测试结果表明该校准件达到了预期效果,仿真值与实测值拟合一致性好.

关键词：硅基芯片、TRL校准技术、去嵌入

所属期刊栏目：4

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2021-02-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：23-25,30