高速低功耗GaN功率放大器调制器

王鑫马琳

中国电子科技集团公司第十三研究所;

摘要：

为了满足现代雷达调制速度需求,文章基于CMOS工艺设计了一种高速低功耗GaN功率放大器调制器芯片.芯片采用栅极调制方式,调制频率高达10 MHz.调制输出在正常栅压Vg和-5 V之间,Vg采用五位并行数字控制位编程输出,输出范围在-3.2 V到-1.2 V之间,覆盖了GaN放大器栅极所需驱动电压的所有范围.测试结果表明:接20 W GaN功率放大器时,调制上升时间为2.8 ns,下降时间2.0 ns,10 MHz工作频率下功耗5 mA.此芯片采用CMOS工艺流片,芯片面积2.4 mm×3.2 mm.

关键词：漏极调制、栅极调制、可编程栅压、GaN放大器

所属期刊栏目：4

分类号：TN761(基本电子电路)

在线出版日期：2020-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：45-47,50