基于双脉冲试验的IGBT行为模型及开关暂态分析

摘要：

IGBT作为控制器的核心器件,在家电领域有着广泛的应用.为在工程应用中充分了解开关过程,需要精确分析IGBT开关暂态过程.使用Simplorer建立IGBT行为模型,对IGBT开关瞬态过程及损耗进行较为精确的分析.该模型采用IGBT器件规格书中参数构建,并结合电性能测试提取封装寄生参数.再将其与双脉冲实验测试结果进行比较、相拟合,最终获得开断瞬态过程数据.研究结果表明仿真结果接近实际测试.因此,仿真模型的建立对IGBT的应用具有一定的工程意义.

关键词：损耗分析、模型、开关暂态、绝缘栅双极型晶体管

所属期刊栏目：4

分类号：TN322;TN492(半导体技术)

在线出版日期：2020-09-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：31-35