基于堆叠式结构的高压功率器件开发

摘要：

VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点并广泛应用于电源电路中,针对目前在国内VDMOS器件生产中封装技术不能满足绝缘要求的问题进行了研究,提出了一种VDMOS器件堆叠式内绝缘封装技术,使用这种封装方法,能够很好地提升期间的散热性能与绝缘强度.并对功率器件芯片进行了优化设计,提高了产品的综合性能,设计生产了具备自有绝缘功能、良好散热性能、并可以承载更大的功率损耗的BRCS740R和BRCS840D系列产品,填补了国内行业的生产空白.

关键词：VDMOS、堆叠式、封装、工艺设计

所属期刊栏目：4

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2020-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：38-40