一种双通道射频接收前端

摘要：

本文研究采用SOI(绝缘体上硅)工艺设计开关芯片,砷化镓(GaAs)工艺单片LNA,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的双通道接收前端,在1~4GHz频带内插入损耗小于0.4dB,可通过CW功率5W,NF小于1.2dB,增益大于30dB,P-1dB大于10dBm,尺寸为5mm×5mm的QFN封装.双通道射频接收前端可广泛应用于TDD通信系统.

关键词：SOI、砷化镓、MCM、双通道接收前端

所属期刊栏目：1

分类号：TN851(无线电设备、电信设备)

资助基金："超宽带4G移动通信用关键射频集成电路与模块"项目,电科民[2013]537号

在线出版日期：2018-01-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：58-61