金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展

摘要：

最近几年,金属氧化物IGZO薄膜晶体管成为研究热点,具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点,备受人们关注.文章综述了制作金属氧化物IGZO晶体管的结构及其优缺点,总结了影响金属氧化物IGZO薄膜晶体管性能的因素,并提出了制作高性能金属氧化物IGZO薄膜晶体管的方法.

关键词：薄膜晶体管、氧化铟镓锌、氧化物、器件结构

分类号：TN383.+1(半导体技术)

在线出版日期：2010-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：28-32