TFT晶体管电学测量与耐压性研究

摘要：

文章用RF-PEcvD设备制备了G-SiNx薄膜,研究了TFT器件击穿电压的测定与分析方法,并对成膜条件中的SiH4流量以及G-SiNx膜厚进行浮动变化,以及研究TFT器件击穿电压的变化方式.结果表明:随着SiH4/NH3流量增大,其耐压性降低;增大绝缘膜厚度,耐压性随之增大.文章对TFT耐压性测量方法的探讨以及PECVD工艺条件与耐压性的相关关系的研究,对于制备合格的氮化硅薄膜提供了借鉴与指导.

关键词：TFT、G-SiNx、电学测量、耐压性

分类号：TN321.5(半导体技术)

在线出版日期：2010-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：42-45