CL2+SF6混合气体对Si和SiNx的离子刻蚀研究

摘要：

采用统计实验方法研究了利用SF6+Cl2混合气体产生的等离子体进行Si和SiNx的反应离子刻蚀技术.在相同的输出功率和压力的条件下,将si和SiNx的刻蚀速率和选择比表示为SF6百分比含量的函数.文中讨论了SF6含量的变化对刻蚀速率、选择比和坡度角的影响及刻蚀机理,证实了即使是SF6含量的少量改变也会对si和SiNx的刻蚀速率、选择比和坡度角有重要的影响.并通过光谱分析来深层次地讨刻蚀速率受SF6含量影响的原因.

关键词：等离子刻蚀、刻蚀速率、选择比

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2008-05-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：48-50