TFT-LCD制程中ITO残留的产生与控制

摘要：

铟锡氧化物(indium tin oxide,ITO)作为氢化非晶硅薄膜晶体管液晶显示器(hydrogenatedamorphous silicon thin film transistor-liquid crystal display,a-Si∶H TFT-LCD)最常用的透明导电材料,其图形与厚度会直接影响到器件的相关性能.本文主要阐述了TFT-LCD生产中由于ITO多晶化所造成的残留问题,并根据产线的情况对这些影响进行了分析,对实际生产过程中出现的问题提出了相应的解决方案.

关键词：薄膜晶体管液晶显示器、氧化铟锡、ITO残留、多晶ITO

分类号：TN141.9(真空电子技术)

在线出版日期：2008-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-38