化学干法刻蚀在TFT-LCD工艺中的应用

摘要：

利用化学干法刻蚀各向同性的特点,本文主要研究化学干法刻蚀中不同的O2/CF4比例对Mo、SiNx和光刻胶刻蚀速率的影响.最后,选用合适的O2/CF4比例在TFT-LCD阵列基板上进行刻孔实验.

关键词：化学干法刻蚀、刻蚀速率、坡度角、薄膜晶体管

分类号：TN141.9(真空电子技术)

在线出版日期：2006-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：61-63