硅场发射微尖阵列的制备工艺研究

摘要：

主要阐述了用于场发射硅锥阵列的制备工艺,实验中在101.6 mm(4in)的n型(100)晶向低阻硅片上氧化出一层厚度约为650nm的氧化层,再用投影曝光的方法光刻出边长2μm,间距4μm的方形掩膜.再分别使用反应离子刻蚀(RIE)技术和湿法刻蚀制备硅锥阵列,干法刻蚀并结合氧化削尖工艺得到了曲率半径为90nm左右且具有良好一致性的尖锥,湿法刻蚀同样得到较理想的结果.

关键词：场发射尖锥阵列、氧化削尖、湿法刻蚀

分类号：TN14(真空电子技术)

在线出版日期：2006-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：53-56