关于TFT-LCD工艺过程中ESD改善的研究

摘要：

在显示器件薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)以及半导体制造工艺过程中,各个环节都有可能产生静电放电(electrostatic discharge,ESD)现象,引起器件性能下降,甚至破坏器件.本文结合生产工艺的实际情况,采用统计方法首先对某工艺环节的ESD现象进行定位,在此基础上结合聚焦离子束(focus ion bond,FIB)等试验结果,对其机理进行认真的分析研究,从设计和工艺改善两个方面出发,提出解决方案,收到了良好的改善效果,取得巨大的经济效益.

关键词：薄膜晶体管工艺过程、静电放电、聚焦离子束

分类号：TN14(真空电子技术)

在线出版日期：2006-09-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：24-26