多晶硅TFT有源层晶粒间界的研究

摘要：

由于多晶硅薄膜晶粒间界存在大量的悬挂键与缺陷,形成带隙能态,从而导致在有源层中形成载流子陷阱和杂质分凝,本文从微观方面解释悬挂键形成带隙能态的原因极其影响,并给出降低带隙密度的方法-氢化.

关键词：悬挂键、带隙能态、氢化

分类号：TNTN104.3

在线出版日期：2005-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：32-34,26