采用简化多晶硅TFT工艺的有源矩阵OLED显示器件

摘要：

我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板.通过去除电源线(Vdd)和触排(bank)光处理工艺,将8步掩模简化至6步.通过6步光掩模工艺制备的p型沟道TFT,场效应迁移率可达80 cm2/Vsec,亚阈值(sub-threshold)电压波动降至0.3V/dec,阈值电压约为-2V.利用6步光掩模工艺成功地获得了采用电压驱动方式的7英寸WVGA(720×480)AMOLED面板.

关键词：光掩模工艺、AMOLED、p型沟道TFT

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2004-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：20-23