F型封装功率晶体管气密性工艺分析及改进

摘要：

本文对F型功率晶体管密封工艺进行技术分析,在分析原密封工艺缺点的基础上,提出了改进F型功率晶体管密封技术的措施,并介绍利用这些措施对F型封装功率晶体管进行密封加工等技术内容.

关键词：晶体管、气密性、漏率、分析

分类号：TN32(半导体技术)

在线出版日期：2006-03-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：37-38,61