化学气相沉积生长氧化铪薄膜研究进展

摘要：

氧化铪薄膜具有高介电常数、大击穿场强、高热稳定性、高力学强度等优势,是新一代高集成芯片中的理想介质材料.本文总结了氧化铪薄膜的主要特性、制备技术及在芯片介质层中的应用.针对芯片介质层的电、热、力学性能与生产要求,以氧化铪薄膜制备技术的发展历程为主线,重点介绍各类化学气相沉积方法的特点与典型研究成果,讨论了氧化铪薄膜制备技术存在的问题,并对该领域未来的发展趋势进行了展望.

关键词：氧化铪(HfO2)薄膜、芯片介质层、研究进展、制备技术

所属期刊栏目：43

分类号：TB383(工程材料学)

在线出版日期：2022-09-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：187-196