10.16253/j.cnki.37-1226/tq.2019.03.004
微波合成片状β-SiC的工艺研究
片状β-SiC可通过使用石墨纸(C)作为碳源、正硅酸乙酯水解制得的SiO2溶胶-凝胶作为硅源、经微波加热合成.本文根据加热过程中微波炉加热温度、输入功率和反射功率的变化曲线,探讨了微波合成片状β-SiC过程中微波加热热效应.分别选择1100℃、1200℃、1300℃、1400℃和1500℃五个微波烧结温度,研究了相同保温时间下不同加热温度对微波合成片状β-SiC的影响.在烧结温度1300℃下,选取保温时间分别为0 min、10 min、30 min和60 min,探索了同一合成温度下不同保温时间对微波合成片状β-SiC的影响.采用XRD,SEM技术对样品进行了表征.结果 发现,烧结温度为1100℃时,产物中合成了片状β-SiC;当烧结温度为1400℃时,片状β-SiC转化为β-SiC颗粒.过高的烧结温度和过长的保温时间都将导致β-SiC的氧化.在1300℃保温30 min条件下得到的片状β-SiC生长最好.
片状β-SiC、微波加热、加热热效应
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TQ174
国家自然科学基金51712113,51602287;郑州航空工业管理学院研究生教育创新计划基金2015CX21
2019-11-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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