ZnO压敏电阻及其片式化技术

摘要：

ZnO压敏电阻由于具有独特的非线性I-V特性而在电子电路中得到了广泛应用.随着电子产品向着小型化、高集成化和数字化方向发展,片式ZnO压敏电阻 (ZnO MLVs) 应用日益广泛.基于此,本文结合作者对ZnO压敏陶瓷还原-再氧化工艺及贱金属内电极的研究,介绍了目前ZnO MLVs的主要材料及工艺研究进展,并对片式ZnO压敏电阻的发展趋势提出了一孔之见.

关键词：ZnO MLVs、非线性I-V特性、还原-再氧化、贱金属内电极

所属期刊栏目：39

分类号：TM23(电工材料)

在线出版日期：2019-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：390-402